2SD917 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD917  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TOP3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD917

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD917 даташит

 ..1. Size:91K  panasonic
 2sd917.pdf pdf_icon

2SD917

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd917.pdf pdf_icon

2SD917

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD917 DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 330V(Min) (BR)CBO High Power Dissipation High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

 9.1. Size:94K  fuji
 2sd916.pdf pdf_icon

2SD917

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd916.pdf pdf_icon

2SD917

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD916 DESCRIPTION High DC Current Gain Low Saturation Voltage High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio power amplifiers Relay& solenoid drivers Motor controls General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD91, 2SD910, 2SD911, 2SD912, 2SD913, 2SD914, 2SD915, 2SD916, 8550, 2SD918, 2SD919, 2SD92, 2SD920, 2SD921, 2SD922, 2SD923, 2SD926