35DB080D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 35DB080D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Корпус транзистора: X240

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 35DB080D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

35DB080D даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2T9137, 2T9138, 2T9139, 2T9140, 30DA060D, 30DA070D, 30DB040D, 35DB070D, TIP31, 37740, 37741, 38387, 38388, 38647, 3N100, 3N101, 3N102