Справочник транзисторов. 35DB080D

 

Биполярный транзистор 35DB080D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 35DB080D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Корпус транзистора: X240
 

 Аналог (замена) для 35DB080D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

35DB080D Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... 2T9137 , 2T9138 , 2T9139 , 2T9140 , 30DA060D , 30DA070D , 30DB040D , 35DB070D , 2SD2499 , 37740 , 37741 , 38387 , 38388 , 38647 , 3N100 , 3N101 , 3N102 .

 

 
Back to Top

 


 
.