Справочник транзисторов. 3N108

 

Биполярный транзистор 3N108 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3N108
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Корпус транзистора: TO72
 

 Аналог (замена) для 3N108

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N108 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:108K  fairchild semi
 fdfc3n108.pdf pdf_icon

3N108

January 2004 FDFC3N108 N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses 3 A, 20 V RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchilds advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 95 m @ VGS = 2.5 V It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, pro

Другие транзисторы... 3N100 , 3N101 , 3N102 , 3N103 , 3N104 , 3N105 , 3N106 , 3N107 , 8550 , 3N109 , 3N110 , 3N111 , 3N112 , 3N113 , 3N114 , 3N115 , 3N116 .

History: MJE3310 | 2SC1398A | D40NU3 | BF259 | BLY82 | PBLS4001V | BUL57A

 

 
Back to Top

 


 
.