3N108 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N108  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3N108

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N108 даташит

 0.1. Size:108K  fairchild semi
 fdfc3n108.pdf pdf_icon

3N108

January 2004 FDFC3N108 N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description Features This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses 3 A, 20 V RDS(ON) = 70 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 95 m @ VGS = 2.5 V It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, pro

Другие транзисторы: 3N100, 3N101, 3N102, 3N103, 3N104, 3N105, 3N106, 3N107, 2SC2655, 3N109, 3N110, 3N111, 3N112, 3N113, 3N114, 3N115, 3N116