Справочник транзисторов. 3N109

 

Биполярный транзистор 3N109 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3N109
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Корпус транзистора: TO72
 

 Аналог (замена) для 3N109

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3N109 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:369K  fairchild semi
 fdfma3n109.pdf pdf_icon

3N109

July 2014FDFMA3N109 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features MOSFET: This device is designed specifically as a single package 2.9 A, 30 V RDS(ON) = 123 m @ VGS = 4.5 Vsolution for a boost topology in cellular handset and RDS(ON) = 140 m @ VGS = 3.0 V other ultra-portable applications. It features a MOSFET = 163 m

Другие транзисторы... 3N101 , 3N102 , 3N103 , 3N104 , 3N105 , 3N106 , 3N107 , 3N108 , 2SD669A , 3N110 , 3N111 , 3N112 , 3N113 , 3N114 , 3N115 , 3N116 , 3N117 .

History: DWC302 | MP4250A | 2SB378B | DTA113TKA | TIP31B | 2SC353A | MRF941

 

 
Back to Top

 


 
.