Справочник транзисторов. 3N109

 

Биполярный транзистор 3N109 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3N109
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 3N109

 

 

3N109 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:369K  fairchild semi
fdfma3n109.pdf

3N109
3N109

July 2014FDFMA3N109 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features MOSFET: This device is designed specifically as a single package 2.9 A, 30 V RDS(ON) = 123 m @ VGS = 4.5 Vsolution for a boost topology in cellular handset and RDS(ON) = 140 m @ VGS = 3.0 V other ultra-portable applications. It features a MOSFET = 163 m

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top