3N109 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3N109  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 12 MHz

Encapsulados: TO72

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 3N109

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3N109 datasheet

 0.1. Size:369K  fairchild semi
 fdfma3n109.pdf pdf_icon

3N109

July 2014 FDFMA3N109 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Features MOSFET This device is designed specifically as a single package 2.9 A, 30 V RDS(ON) = 123 m @ VGS = 4.5 V solution for a boost topology in cellular handset and RDS(ON) = 140 m @ VGS = 3.0 V other ultra-portable applications. It features a MOSFET = 163 m

Otros transistores... 3N101, 3N102, 3N103, 3N104, 3N105, 3N106, 3N107, 3N108, D880, 3N110, 3N111, 3N112, 3N113, 3N114, 3N115, 3N116, 3N117