5609 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 5609

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 5609

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

5609 даташит

 0.1. Size:216K  mcc
tpt5609.pdfpdf_icon

5609

MCC Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth TPT5609 Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Excellent linearity of Current Gain NPN Epitaxial Low saturation voltage Silicon Transistor Maximum Ratings Symbol Rating Rating Unit TO-92L VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VCBO Collector-Base Voltage 25 V

 0.2. Size:45K  panasonic
2sc5609.pdfpdf_icon

5609

Transistors 2SC5609 Silicon PNP epitaxial planer type Unit mm For general amplification 0.33+0.05 0.10+0.05 0.02 0.02 Complementary to 2SA2021 3 Features High foward current transfer ratio hFE 0.23+0.05 1 2 0.02 (0.40) (0.40) SSS-mini type package, allowing downsizing and thinning of the 0.80 0.05 equipment and automatic insertion through the tape packing 1.2

 0.3. Size:64K  no
2n5609.pdfpdf_icon

5609

Power Transistors INCHANGE 2N5609 Silicon PNP Transistors Features With TO-66 package Designed for use as high-frequency drivers in audio amplifier Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 80 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 5.0 V ICP Peak collector current A IC Collector current 5.0 A PC

 0.4. Size:126K  jmnic
2n5605 2n5607 2n5609 2n5611.pdfpdf_icon

5609

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N5605 2N5607 2N5609 2N5611 DESCRIPTION With TO-66 package Excellent safe operating area Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For general-purpose amplifier ; and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-66)

Другие транзисторы: 50DA045D, 50DB040D, 50DB045D, 5253OA, 556BCYA, 556BCYB, 557BCYA, 557BCYB, MPSA42, 5610, 563BSY, 564BSY, 5NU72, 5NU73, 5NU74, 60024, 60DA060D