9010 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 9010  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 9010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

9010 даташит

 0.1. Size:550K  1
 irfr9010 irfr9012 irfu9010 irfu9012.pdf pdf_icon

9010

 0.2. Size:448K  international rectifier
 irfd9010.pdf pdf_icon

9010

 0.3. Size:552K  international rectifier
 irfu9010pbf.pdf pdf_icon

9010

 0.4. Size:141K  nxp
 pmd9010d.pdf pdf_icon

9010

PMD9010D MOSFET driver Rev. 01 20 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Two NPN transistors and high-speed switching diode connected in totem pole configuration in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Two general-purpose transistors and one high-speed switching diode as driver Totem pole configura

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 7NU74, 8003BBA, 8003BBB, 8050, 80DA020D, 810BLYA, 8550, 9003, BC557, 9011, 9011D, 9011E, 9011F, 9011G, 9011H, 9011I, 9012