Биполярный транзистор 9013G
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 9013G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 118
Корпус транзистора:
TO92
Аналоги (замена) для 9013G
9013G
Datasheet (PDF)
..1. Size:167K semtech
9013g 9013h 9013i.pdf 9013 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. The transistor is subdivided into three groups, G, H and I, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor 9012 is recommended. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package OAbsol
0.1. Size:192K mcc
s9013h s9013g s9013i.pdf MCCS9013-GTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street Chatsworth S9013-HMicro Commercial ComponentsCA 91311S9013-IPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.NPN Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and
0.2. Size:676K semtech
mmbt9013g mmbt9013h.pdf MMBT9013 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. As complementary types the PNP transistor MMBT9012 is recommended. TO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 500 mAPo
0.3. Size:181K chenmko
cht9013gp.pdf CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT9013GPSURFACE MOUNT NPN Silicon TransistorVOLTAGE 25Volts CURRENT 0.5 AmpereAPPLICATION* Telephony and proferssional communction equipment.* Other switching applications.SOT-23FEATURE* Surface mount package. (SOT-23)* Suitable for high packing density.(1)CONSTRUCTION(3)*NPN Silicon Transistor(2)MARKING* HFE(L):J3( ) ( ).055 1.
0.4. Size:838K slkor
s9013d s9013e s9013f s9013g s9013h s9013i s9013j.pdf S9013TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complementary to S90121. EMITTER Excellent hFE linearity2. BASE3. COLLECTOREquivalent Circuit Collector-Base Voltage 40 V Collector-Emitter Voltage 25 V Emitter-Base Voltage 5 V Collector Current -Continuous 0.5 A Co
Другие транзисторы... 2SA1771
, 2SA178
, 2SA1790
, 2SA1791
, 2SA1792
, 2SA1793
, 2SA1794
, 2SA1795
, BC557
, 2SA1799
, 2SA17H
, 2SA18
, 2SA180
, 2SA1800
, 2SA1800O
, 2SA1800R
, 2SA1800Y
.