9013G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 9013G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 118

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 9013G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

9013G даташит

 ..1. Size:167K  semtech
 9013g 9013h 9013i.pdf pdf_icon

9013G

9013 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. The transistor is subdivided into three groups, G, H and I, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor 9012 is recommended. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package O Absol

 0.1. Size:192K  mcc
 s9013h s9013g s9013i.pdf pdf_icon

9013G

MCC S9013-G TM Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth S9013-H Micro Commercial Components CA 91311 S9013-I Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40V Transistors Operating and

 0.2. Size:676K  semtech
 mmbt9013g mmbt9013h.pdf pdf_icon

9013G

MMBT9013 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. As complementary types the PNP transistor MMBT9012 is recommended. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 500 mA Po

 0.3. Size:181K  chenmko
 cht9013gp.pdf pdf_icon

9013G

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT9013GP SURFACE MOUNT NPN Silicon Transistor VOLTAGE 25Volts CURRENT 0.5 Ampere APPLICATION * Telephony and proferssional communction equipment. * Other switching applications. SOT-23 FEATURE * Surface mount package. (SOT-23) * Suitable for high packing density. (1) CONSTRUCTION (3) *NPN Silicon Transistor (2) MARKING * HFE(L) J3 ( ) ( ) .055 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 9012E, 9012F, 9012G, 9012H, 9013, 9013D, 9013E, 9013F, 2SA1837, 9013H, 9014, 9014D, 9014E, 9014F, 9014G, 9014H, 9015