A747 - описание и поиск аналогов

 

A747. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: A747

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: X09

 Аналоги (замена) для A747

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A747 даташит

 0.1. Size:147K  jmnic
2sa747.pdfpdf_icon

A747

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA747 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1116 APPLICATIONS For audio and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETE

 0.2. Size:150K  jmnic
2sa747a.pdfpdf_icon

A747

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA747A DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1116A APPLICATIONS For audio and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAME

 0.3. Size:1892K  cn vbsemi
vbza7470.pdfpdf_icon

A747

VBZA7470 www.VBsemi.com N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 10 40 15 nC 100 % Rg Tested 0.016 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/EC APPLICATIONS Synchronous Rectificat

 0.4. Size:196K  inchange semiconductor
2sa747.pdfpdf_icon

A747

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA747 DESCRIPTION High Power Dissipation- P = 100W(Max.)@T =25 C C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min.) (BR)CEO Complement to Type 2SC1116 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: A5T3905, A5T3906, A5T4026, A5T4123, A5T4125, A5T4126, A719, A719R, BD135, A747A, A747B, A747C, A748, A748B, A748C, A749, A749B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.