Справочник транзисторов. A747

 

Биполярный транзистор A747 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: A747
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: X09
 

 Аналог (замена) для A747

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A747 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:147K  jmnic
2sa747.pdfpdf_icon

A747

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA747 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1116 APPLICATIONS For audio and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETE

 0.2. Size:150K  jmnic
2sa747a.pdfpdf_icon

A747

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA747A DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1116A APPLICATIONS For audio and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAME

 0.3. Size:1892K  cn vbsemi
vbza7470.pdfpdf_icon

A747

VBZA7470www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1040 15 nC 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Rectificat

 0.4. Size:196K  inchange semiconductor
2sa747.pdfpdf_icon

A747

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA747DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max.)@T =25C CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1116Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

Другие транзисторы... A5T3905 , A5T3906 , A5T4026 , A5T4123 , A5T4125 , A5T4126 , A719 , A719R , BD135 , A747A , A747B , A747C , A748 , A748B , A748C , A749 , A749B .

 

 
Back to Top

 


 
.