AF124 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF124  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AF124

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AF124 даташит

 0.1. Size:403K  panasonic
 draf124x.pdf pdf_icon

AF124

DRAF124X Total pages page Tentative DRAF124X Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Marking Symbol LF Package Code ML3-N4-B Internal Connection Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C R1 C Parameter Symbol Rating Unit B Collector-base voltage (Emitter open) VCBO -50 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO -50 V Collector current IC -100 mA R2 Total powe

 0.2. Size:224K  panasonic
 draf124e.pdf pdf_icon

AF124

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF124E Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF124E DRA3124E in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Packa

 0.3. Size:223K  panasonic
 draf124t.pdf pdf_icon

AF124

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF124T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF124T DRA3124T in ML3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) ML3-N4-B Contributes to miniaturization of

Другие транзисторы: AF117N, AF118, AF121, AF121-07, AF121S, AF122, AF122BL, AF122Y, TIP31C, AF125, AF126, AF127, AF128, AF128BK, AF128W, AF128Y, AF129