AM2931-125 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM2931-125  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SO38

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AM2931-125

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM2931-125 даташит

 8.1. Size:60K  st
 am2931.pdf pdf_icon

AM2931-125

AM2931-110 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .3 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .500 2L SFL (S138) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 105 W MIN. WITH 6.2 dB GAIN OUT = ORDER CODE BRANDING AM2931-110 2931-110 DESCRIPTION PIN CONN

Другие транзисторы: AM1214-325, AM1416-100, AM1416-200, AM1517-012, AM1517-025, AM2729-110, AM2729-125, AM2931-110, TIP35C, AM80610-018, AM80610-030, AM80814-005, AM80814-025, AM80912-005, AM80912-015, AM80912-030, AM80912-085