AM80912-085 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AM80912-085  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SO42

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для AM80912-085

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM80912-085 даташит

 ..1. Size:66K  st
 am80912-085.pdf pdf_icon

AM80912-085

AM80912-085 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) .POUT = 85 W MIN. WITH 7.5 dB GAIN hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM80912-085 80912-85 PIN CONNECTION DESCRIPTION

 7.1. Size:94K  st
 am80912030.pdf pdf_icon

AM80912-085

AM80912-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .15 1 VSWR CAPABILITY .LOW RF THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .400 x .400 2LFL (S036) .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE hermetically sealed .P 30 W MIN. WITH 7.8 dB GAIN = OUT BRANDING ORDER CODE 80912-30 AM80912-030 DE

 7.2. Size:58K  st
 am8091205.pdf pdf_icon

AM80912-085

AM80912-005 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed .POUT = 6.0 W MIN. WITH 9.3 dB GAIN ORDER CODE BRANDING AM80912-005 80912-5 PIN CONNECTION DESCRIPTION

 9.1. Size:94K  st
 am809-12.pdf pdf_icon

AM80912-085

AM80912-015 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED . 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT MATCHING .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P = 15 W MIN. WITH 8.1 dB GAIN OUT .310 x .310 2LFL (S064) .BANDWIDTH 255 MHz hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM80912-015 80912-15 PIN CONNECTION DESCRIPTION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: AM2931-125, AM80610-018, AM80610-030, AM80814-005, AM80814-025, AM80912-005, AM80912-015, AM80912-030, 2SC2625, AM81214-006, AM81214-015, AM81214-030, AM81214-060, AM81416-020, AM81719-030, AM81719-040, AM81720-012