Справочник транзисторов. AM80912-085

 

Биполярный транзистор AM80912-085 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: AM80912-085
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SO42

 Аналоги (замена) для AM80912-085

 

 

AM80912-085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  st
am80912-085.pdf

AM80912-085
AM80912-085

AM80912-085RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT = 85 W MIN. WITH 7.5 dB GAINhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM80912-085 80912-85PIN CONNECTIONDESCRIPTION

 7.1. Size:94K  st
am80912030.pdf

AM80912-085
AM80912-085

AM80912-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSSPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.15:1 VSWR CAPABILITY.LOW RF THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.400 x .400 2LFL (S036).METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGEhermetically sealed.P 30 W MIN. WITH 7.8 dB GAIN=OUTBRANDINGORDER CODE80912-30AM80912-030DE

 7.2. Size:58K  st
am8091205.pdf

AM80912-085
AM80912-085

AM80912-005RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealed.POUT = 6.0 W MIN. WITH 9.3 dB GAINORDER CODE BRANDINGAM80912-005 80912-5PIN CONNECTIONDESCRIPTION

 9.1. Size:94K  st
am809-12.pdf

AM80912-085
AM80912-085

AM80912-015RF & MICROWAVE TRANSISTORSAVIONICS APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED. :1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT MATCHING.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P = 15 W MIN. WITH 8.1 dB GAINOUT.310 x .310 2LFL (S064).BANDWIDTH 255 MHzhermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM80912-015 80912-15PIN CONNECTIONDESCRIPTION

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top