AM83135-001 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AM83135-001 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: SO64
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для AM83135-001
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
AM83135-001 даташит
am83135-03.pdf
AM83135-030 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 30 W MIN. WITH 5.5 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-030 AM83135-30 DESCRIPTION The AM83135
am83135-04.pdf
AM83135-040 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 40 W MIN. WITH 5.1 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-040 AM83135-40 DESCRIPTION The AM83135
am83135-05.pdf
AM83135-005 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .5 1 VSWR CAPABILITY .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .400 x .400 2NLFL (S042) .POUT 5.0 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN = hermetically sealed ORDER CODE BRANDING AM83135-005 83135-5 DESCRIPTION PIN CONNE
am83135-015.pdf
AM83135-015 RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS PRELIMINARY DATA .REFRACTORY/GOLD METALLIZATION .EMITTER SITE BALLASTED .LOW THERMAL RESISTANCE .INPUT/OUTPUT MATCHING .OVERLAY GEOMETRY .METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE .P 15 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN OUT = .310 x .310 2LFL (S064) ORDER CODE BRANDING DESCRIPTION AM83131-015 83135-15 The AM83135-015 device is a high po
Другие транзисторы: AM82223-010, AM82325-040, AM82325-050, AM82731-003, AM82731-006, AM82731-012, AM82731-025, AM82731-050, NJW0281G, AM83135-003, AM83135-005, AM83135-010, AM83135-015, AM83135-030, AM83135-040, AM83135-050, AR220GY
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710





