Справочник транзисторов. AM83135-001

 

Биполярный транзистор AM83135-001 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AM83135-001
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SO64
 

 Аналог (замена) для AM83135-001

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AM83135-001 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:57K  st
 am83135-03.pdf pdf_icon

AM83135-001

AM83135-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 30 W MIN. WITH 5.5 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-030 AM83135-30DESCRIPTIONThe AM83135

 5.2. Size:44K  st
 am83135-04.pdf pdf_icon

AM83135-001

AM83135-040RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 40 W MIN. WITH 5.1 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-040 AM83135-40DESCRIPTIONThe AM83135

 5.3. Size:61K  st
 am83135-05.pdf pdf_icon

AM83135-001

AM83135-005RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT 5.0 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN=hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-005 83135-5DESCRIPTIONPIN CONNE

 5.4. Size:61K  st
 am83135-015.pdf pdf_icon

AM83135-001

AM83135-015RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 15 W MIN. WITH 5.2 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)ORDER CODE BRANDINGDESCRIPTION AM83131-015 83135-15The AM83135-015 device is a high po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... AM82223-010 , AM82325-040 , AM82325-050 , AM82731-003 , AM82731-006 , AM82731-012 , AM82731-025 , AM82731-050 , D965 , AM83135-003 , AM83135-005 , AM83135-010 , AM83135-015 , AM83135-030 , AM83135-040 , AM83135-050 , AR220GY .

History: KSB1121R | KSC2258Y | T2018 | KSC2328T | BFW73A | CD2087 | MMS9013-H

 

 
Back to Top

 


 
.