Биполярный транзистор AM83135-001 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: AM83135-001
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SO64
Аналоги (замена) для AM83135-001
AM83135-001 Datasheet (PDF)
am83135-03.pdf
AM83135-030RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 30 W MIN. WITH 5.5 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-030 AM83135-30DESCRIPTIONThe AM83135
am83135-04.pdf
AM83135-040RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 40 W MIN. WITH 5.1 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-040 AM83135-40DESCRIPTIONThe AM83135
am83135-05.pdf
AM83135-005RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.5:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).POUT 5.0 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN=hermetically sealedORDER CODE BRANDINGAM83135-005 83135-5DESCRIPTIONPIN CONNE
am83135-015.pdf
AM83135-015RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONSPRELIMINARY DATA.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.P 15 W MIN. WITH 5.2 dB GAINOUT =.310 x .310 2LFL (S064)ORDER CODE BRANDINGDESCRIPTION AM83131-015 83135-15The AM83135-015 device is a high po
am83135-01.pdf
AM83135-001RF & MICROWAVE TRANSISTORSS-BAND RADAR APPLICATIONS.REFRACTORY/GOLD METALLIZATION.EMITTER SITE BALLASTED.10:1 VSWR CAPABILITY.LOW THERMAL RESISTANCE.INPUT/OUTPUT MATCHING.OVERLAY GEOMETRY.METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE.400 x .400 2NLFL (S042).P = 1.0 W MIN. WITH 5.2 dB GAINOUThermetically sealedORDER CODEBRANDINGAM83135-00183135-1DESCRIPTIONPIN C
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050