Биполярный транзистор BC160-10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC160-10
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO39
BC160-10 Datasheet (PDF)
bc160-bc161.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D110BC160; BC161PNP medium power transistorsProduct specification 1997 May 12Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BC160; BC161FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2
bc160-bc161.pdf
BC160BC161GENERAL PURPOSE TRANSISTORSDESCRIPTIONThe BC160, and BC161 are silicon planar epitaxialPNP transistors in TO-39 metal case.They are par-ticurlarly designed foraudio amplifiers and switchingapplications up to 1A. The complementary NPNtypes are the BC140 and BC141.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSValueSymbol Parameter UnitBC160 BC161VC
bc160 bc161.pdf
Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BC160; BC161FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector, connected to case General purpose applications.DESCRIPTION 1handbook, halfpage32PNP medium power transistor in a TO-39 metal package.NPN complements: B
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
