Биполярный транзистор BCR523 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR523
Маркировка: XGs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
BCR523 Datasheet (PDF)
bcr523.pdf
BCR 523NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1=1k,R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 523 XGs C62702-C2487 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage VEBO 5
bcr523 bcr523u.pdf
BCR523...NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k, R2= 10 k) BCR523U: Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101BCR523 BCR523UCC1 B2 E236 5 4R2R1R1 TR2TR1 R1R2R2
bcr523series.pdf
BCR523...NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k, R2= 10 k) BCR523U: Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101BCR523 BCR523UCC1 B2 E236 5 4R2R1R1 TR2TR1 R1R2R2
bcr523u.pdf
BCR523...NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k, R2= 10 k) BCR523U: Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101BCR523 BCR523UCC1 B2 E236 5 4R2R1R1 TR2TR1 R1R2R2
bcr521.pdf
BCR 521NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=1k, R2=1k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 521 XVs Q62702-C2355 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base vol
bcr521.pdf
BCR521NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 1 k, R2= 1 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07184Type Marking Pin Configuration PackageBCR521 XVs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage VCBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050