BCR523. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCR523
Маркировка: XGs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BCR523
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCR523 даташит
bcr523.pdf
BCR 523 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1=1k ,R2=10k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 523 XGs C62702-C2487 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEBO 5
bcr523 bcr523u.pdf
BCR523... NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 10 k ) BCR523U Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BCR523 BCR523U C C1 B2 E2 3 6 5 4 R2 R1 R1 TR2 TR1 R1 R2 R2
bcr523series.pdf
BCR523... NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 10 k ) BCR523U Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BCR523 BCR523U C C1 B2 E2 3 6 5 4 R2 R1 R1 TR2 TR1 R1 R2 R2
bcr523u.pdf
BCR523... NPN Silicon Digital Transistors Switching circuit, inverter circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 10 k ) BCR523U Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BCR523 BCR523U C C1 B2 E2 3 6 5 4 R2 R1 R1 TR2 TR1 R1 R2 R2
Другие транзисторы: BCR22PN, BCR35PN, BCR48PN, BCR503, BCR505, BCR512, BCR519, BCR521, BD135, BCR533, BCR553, BCR555, BCR562, BCR569, BCR571, BCR573, BCR583
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815






