Справочник транзисторов. BCR555

 

Биполярный транзистор BCR555 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR555
   Маркировка: XDs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BCR555

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR555 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr555.pdf pdf_icon

BCR555

BCR 555PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1 = 2.2k, R2 = 10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 555 XDs Q62702-C2383 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage

 ..2. Size:525K  infineon
 bcr555.pdf pdf_icon

BCR555

BCR555PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 10 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR555 XDs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage VC

 9.1. Size:35K  siemens
 bcr553.pdf pdf_icon

BCR555

BCR 553PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=2.2k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 553 XBs Q62702-C2371 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base volta

 9.2. Size:525K  infineon
 bcr553.pdf pdf_icon

BCR555

BCR553PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 2.2 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR553 XBs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BCR503 , BCR505 , BCR512 , BCR519 , BCR521 , BCR523 , BCR533 , BCR553 , 2SD2499 , BCR562 , BCR569 , BCR571 , BCR573 , BCR583 , BCV26 , BCV27 , BCV28 .

History: FCS9012G | KST14 | IMH4A

 

 
Back to Top

 


 
.