Справочник транзисторов. BCR555

 

Биполярный транзистор BCR555 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR555
   Маркировка: XDs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCR555 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr555.pdf pdf_icon

BCR555

BCR 555PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1 = 2.2k, R2 = 10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 555 XDs Q62702-C2383 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage

 ..2. Size:525K  infineon
 bcr555.pdf pdf_icon

BCR555

BCR555PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 10 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR555 XDs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage VC

 9.1. Size:35K  siemens
 bcr553.pdf pdf_icon

BCR555

BCR 553PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=2.2k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 553 XBs Q62702-C2371 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base volta

 9.2. Size:525K  infineon
 bcr553.pdf pdf_icon

BCR555

BCR553PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 2.2 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR553 XBs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BSW44A | KT8143M | KSC900G | Q-00369C | BF883 | 2N911 | SS126

 

 
Back to Top

 


 
.