Биполярный транзистор BCR555 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR555
Маркировка: XDs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
BCR555 Datasheet (PDF)
bcr555.pdf
BCR 555PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1 = 2.2k, R2 = 10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 555 XDs Q62702-C2383 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base voltage
bcr555.pdf
BCR555PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 10 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR555 XDs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage VC
bcr553.pdf
BCR 553PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=2.2k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 553 XBs Q62702-C2371 1=B 2=E 3=C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base volta
bcr553.pdf
BCR553PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k, R2= 2.2 k)23 Pb-free (RoHS compliant) package1 Qualified according AEC Q101C3R1R21 2B EEHA07183Type Marking Pin Configuration PackageBCR553 XBs SOT231=B 2=E 3=CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit50 VCollector-emitter voltage VCEO50Collector-base voltage V
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050