BCV47. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCV47
Маркировка: DK_FG_FGp_FGs_FGt_FGW_ZFG
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BCV47
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCV47 даташит
bcv27 bcv47 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ok, halfpage M3D088 BCV27; BCV47 NPN Darlington transistors 1999 Apr 08 Product specification Supersedes data of 1997 Sep 04 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BCV27; BCV47 FEATURES PINNING Medium current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V) 1 base High DC current gain (min. 200
bcv27 bcv47.pdf
NPN Silicon Darlington Transistors BCV 27 BCV47 For general AF applications High collector current High current gain Complementary types BCV 26, BCV 46 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BCV 27 FFs Q62702-C1474 B E C SOT-23 BCV 47 FGs Q62702-C1501 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit BCV 27 BCV 47 Collector-emitter voltag
bcv27 bcv47.pdf
BCV27, BCV47 NPN Silicon Darlington Transistors For general AF applications 2 3 High collector current 1 High current gain Complementary types BCV26, BCV46 (PNP) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package BCV27 FFs 1=B 2=E 3=C SOT23 BCV47 FGs 1=B 2=E 3=C SOT23 Maximum Ratings Parameter Symbol Va
bcv47.pdf
BCV47 TRANSISTOR (NPN) SOT 23 FEATURES High Collector Current High Current Gain MARKING FG 1. BASE 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. COLLECTOR Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V V Emitter-Base Voltage 10 V EBO I Collector Current 500 mA C P Collector Power Diss
Другие транзисторы: BCR571, BCR573, BCR583, BCV26, BCV27, BCV28, BCV29, BCV46, A1013, BCV48, BCV49, BCV61, 2SB562-B, BCV61A, 2SB1721-Z, BCV61B, 2SB1644JFRA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor







