BCW30CSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW30CSM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: LCC3

 Аналоги (замена) для BCW30CSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW30CSM даташит

 9.1. Size:451K  motorola
bcw29lt1 bcw30lt1.pdfpdf_icon

BCW30CSM

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BCW29LT1/D General Purpose Transistors BCW29LT1 PNP Silicon COLLECTOR BCW30LT1 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 32 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 32 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc

 9.2. Size:47K  philips
bcw29 bcw30 4.pdfpdf_icon

BCW30CSM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BCW29; BCW30 PNP general purpose transistors 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1997 Sep 03 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BCW29; BCW30 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS

 9.3. Size:111K  philips
bcw29 bcw30 2.pdfpdf_icon

BCW30CSM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BCW29; BCW30 PNP general purpose transistors Product data sheet 2004 Jan 13 Supersedes data of 1999 Apr 13 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose transistors BCW29; BCW30 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector General purpose

 9.4. Size:37K  st
bcw30.pdfpdf_icon

BCW30CSM

BCW30 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS Type Marking BCW30 C2 SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORS MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR APPLICATION IN SURFACE MOUNTING 2 CIRCUITS LOW LEVEL AUDIO AMPLIFICATION AND 3 SWITCHING 1 SOT-23 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit V Collector-Emitter Voltage (V = 0) -32 V CES BE VCEO Collector-Emitt

Другие транзисторы: BCW27, BCW28, BCW29, BCW29CSM, BCW29LT1, BCW29LT3, BCW29R, BCW30, TIP31, BCW30LT1, BCW30LT3, BCW30R, BCW31, BCW31CSM, BCW31LT1, BCW31LT3, BCW31R