Биполярный транзистор BCW60RD Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BCW60RD
Маркировка: ZD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BCW60RD Datasheet (PDF)
bcw60alt.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW60ALT1/DBCW60ALT1General Purpose TransistorsBCW60BLT1NPN SiliconCOLLECTORBCW60DLT131BASE32EMITTER12MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorEmitter Voltage VCEO 32 VdcCollectorBase Voltage VCBO 32 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0
bcw60.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088BCW60 seriesNPN general purpose transistorsProduct data sheet 1999 Apr 22Supersedes data of 1997 Mar 10 NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistors BCW60 seriesFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 coll
bcw60 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BCW60 seriesNPN general purpose transistors1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BCW60 seriesFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS
bcw60a b c d.pdf

BCW60A/B/C/DGeneral Purpose Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 32 V VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 100 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: MPS6511 | PBSS305ND | D64VS4 | KRC840U | BC817-40 | D45VH4 | 3DD3040_A6
History: MPS6511 | PBSS305ND | D64VS4 | KRC840U | BC817-40 | D45VH4 | 3DD3040_A6



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent