BCW61ALT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW61ALT1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для BCW61ALT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW61ALT1 даташит

 8.1. Size:46K  fairchild semi
 bcw61a b c d.pdf pdf_icon

BCW61ALT1

BCW61A/B/C/D General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -32 V VCEO Collector-Emitter Voltage -32 V VEBO Emitter-Base Voltage -5.0 V IC Collector Current -100 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW

 8.2. Size:21K  samsung
 bcw61a b c d.pdf pdf_icon

BCW61ALT1

BCW61A/B/C/D PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Cllector-Base Voltage VCBO -32 V Collector-Emitter Voltage VCEO -32 V Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 V Collector Current IC -100 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG -55 150 Refer to KS5086 for grap

 8.3. Size:555K  infineon
 bcw61a bcw61b bcw61c bcw61d bcx71g bcx71h bcx71j bcx71k.pdf pdf_icon

BCW61ALT1

BCW61..., BCX71... PNP Silicon AF Transistors For AF input stages and driver applications 2 3 High current gain 1 Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types BCW60, BCX70 (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package BCW61A BAs 1=B 2=E 3=C SO

 8.4. Size:83K  cdil
 bcw61a b c d.pdf pdf_icon

BCW61ALT1

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package BCW61A BCW61B BCW61C BCW61D SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P N P silicon transistors Marking BCW61A = BA BCW61B = BB BCW61C = BC PACKAGE OUTLINE DETAILS BCW61D = BD ALL DIMENSIONS IN mm Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCW60DLT1, BCW60FF, BCW60FN, BCW60RA, BCW60RB, BCW60RC, BCW60RD, BCW61, 13009, BCW61BLT1, BCW61CLT1, BCW61D, BCW61DLT1, BCW61FF, BCW61FN, BCW61RA, BCW61RB