BCW68G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW68G

Маркировка: DG_DH

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW68G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW68G даташит

 ..1. Size:230K  fairchild semi
 bcw68g.pdf pdf_icon

BCW68G

BCW68G C E SOT-23 B Mark DG PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at currents to 500 mA. Sourced from Process 63. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V 3 VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC

 ..2. Size:266K  nxp
 bcw68f bcw68g bcw68h.pdf pdf_icon

BCW68G

BCW68 series 45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor Rev. 1 21 April 2017 Product data sheet 1 General description PNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complements BCW66F/G/H 2 Features and benefits High current AEC-Q101 qualified 3 Applications General-purpose switching and amplification 4

 ..3. Size:447K  mcc
 bcw68g.pdf pdf_icon

BCW68G

BCW68G Features Ideally Suited for Automatic Insertion Low Current, Low Voltage Epitaxial Planar Die Construction Halogen Free. "Green" Device (Note 1) PNP Small Moisture Sensitivity Level 1 Signal Transistor Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum R

 ..4. Size:179K  semtech
 bcw68f bcw68g bcw68h.pdf pdf_icon

BCW68G

BCW68 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current application The transistor is subdivided into three groups F, G and H according to its DC current gain. SOT-23 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 45 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCW67A, BCW67B, BCW67C, BCW67RA, BCW67RB, BCW67RC, BCW68, BCW68F, 2SD669A, BCW68H, BCW68RF, BCW68RG, BCW68RH, BCW69, BCW69LT1, BCW69R, BCW70