BCW89R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCW89R
Маркировка: H31_H6
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BCW89R
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCW89R даташит
bcw89.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 BCW89 PNP general purpose transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 11 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistor BCW89 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector
bcw89.pdf
BCW89 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers 3 and switches requiring collector currents to 300mA. Sourced from process 68. 2 SOT-23 1 Mark H3 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings * TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VCES Collecto
bcw89.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
bcw89.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package BCW89 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS P N P transistors Marking BCW89 = H3 Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCB0 max. 80 V Collector emitter voltage (open base
Другие транзисторы: BCW84, BCW84B, BCW84C, BCW85, BCW86, BCW87, BCW88, BCW89, S8550, BCW90, BCW90A, BCW90B, BCW90C, BCW90K, BCW90KA, BCW90KB, BCW90KC
History: BCW88 | KT8131V | BF859BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315





