BD214-80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD214-80  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TOP3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD214-80

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD214-80 даташит

 9.1. Size:177K  inchange semiconductor
 bd214.pdf pdf_icon

BD214-80

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD214 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARA

Другие транзисторы: BD213-45, BD213-60, BD213-80, BD213B, BD213C, BD214, BD214-45, BD214-60, MJE340, BD214B, BD214C, BD215, BD216, BD220, BD221, BD222, BD223