BD214-80 - описание и поиск аналогов

 

BD214-80 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD214-80
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BD214-80

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD214-80 - технические параметры

 9.1. Size:177K  inchange semiconductor
 bd214.pdf pdf_icon

BD214-80

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD214 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARA

Другие транзисторы... BD213-45 , BD213-60 , BD213-80 , BD213B , BD213C , BD214 , BD214-45 , BD214-60 , MJE340 , BD214B , BD214C , BD215 , BD216 , BD220 , BD221 , BD222 , BD223 .

 

 
Back to Top

 


 
.