Справочник транзисторов. BD229-10

 

Биполярный транзистор BD229-10 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD229-10
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD229-10

 

 

BD229-10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:142K  inchange semiconductor
 bd227 bd229 bd231.pdf

BD229-10 BD229-10

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD227/229/231 DESCRIPTION DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A Complement to Type BD226/228/230 APPLICATIONS Designed for use in driver stages in television circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD227 -45 VCBO Collector-Base Voltage BD229 -60 V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top