Биполярный транзистор BD250F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD250F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO218
BD250F Datasheet (PDF)
bd250-a-b-c.pdf
BD250, BD250A, BD250B, BD250CPNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE(TOP VIEW)BD249 Series 125 W at 25C Case TemperatureB1 25 A Continuous Collector CurrentC 2 40 A Peak Collector Current Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute ma
bd250 bd250a bd250b bd250c.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor BD250/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -25ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)- BD250; -60V(Min)- BD250A(BR)CEO-80V(Min)- BD250B; -100V(Min)- BD250CComplement to Type BD249/A/B/CAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applicationsABSOLUTE
bd250 a b c.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD250/A/B/C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BD249/A/B/C 125 W at 25C case temperature 25 A continuous collector current PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum rat
bd250 bd250a bd250b bd250c.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD250/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -25ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)- BD250; -60V(Min)- BD250A(BR)CEO-80V(Min)- BD250B; -100V(Min)- BD250CComplement to Type BD249/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050