Справочник транзисторов. BD376-6

 

Биполярный транзистор BD376-6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD376-6
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD376-6

 

 

BD376-6 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:42K  fairchild semi
bd376 bd378 bd380.pdf

BD376-6
BD376-6

BD376/378/380Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD375, BD377 and BD379 respectivelyTO-1261PNP Epitaxial Silicon Transistor1. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : BD376 - 50 V: BD378 - 75 V: BD380 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage : B

 9.2. Size:51K  samsung
bd376 bd378 bd380.pdf

BD376-6
BD376-6

BD376/378/380 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMEDIUM POWER LINEAR ANDTO-126SWITCHING APPLICATIONS Complement to BD375, BD377 and BD379 respectivelyABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage : BD376 VCBO - 50 V. : BD378 - 75 V : BD380 - 100 V Collector Emitter Voltage : BD376 VCEO - 45 V1. Emitter 2.Collector 3.Base : BD378 - 60

 9.3. Size:251K  shantou-huashan
hsbd376.pdf

BD376-6

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD376 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

 9.4. Size:157K  inchange semiconductor
bd376 bd378 bd380 .pdf

BD376-6
BD376-6

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD376/378/380 DESCRIPTION DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= -1A Complement to Type BD375/377/379 APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD376 -50 VCBO Collector-Base Voltage BD378 -75

 9.5. Size:214K  inchange semiconductor
bd376 bd378 bd380.pdf

BD376-6
BD376-6

isc Silicon PNP Power Transistors BD376/378/380DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20(Min)@ I = -1AFE CComplement to Type BD375/377/379Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power linear and switchingapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD376 -50V Col

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top