BD501A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD501A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD501A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD501A даташит

 9.1. Size:105K  inchange semiconductor
 bd501 b.pdf pdf_icon

BD501A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 50V(Min) 80V(Min) High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VA

 9.2. Size:191K  inchange semiconductor
 bd501 bd501b.pdf pdf_icon

BD501A

isc Silicon NPN Power Transistors BD501/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 50V(Min) CEO(SUS) 80V(Min) High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие транзисторы: BD477A, BD477B, BD487, BD488, BD500, BD500A, BD500B, BD501, 2N3906, BD501B, BD505, BD505-1, BD505-5, BD506, BD506-1, BD506-5, BD507