BD510-1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD510-1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD510-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD510-1 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD507-5, BD508, BD508-1, BD508-5, BD509, BD509-1, BD509-5, BD510, 2SA1837, BD510-5, BD515, BD515-1, BD515-5, BD516, BD516-1, BD516-5, BD517