BD540D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD540D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD540D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD540D даташит

 9.1. Size:83K  bourns
 bd540-a-b-c.pdf pdf_icon

BD540D

BD540, BD540A, BD540B, BD540C PNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the BD539 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 45 W at 25 C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B 1 Customer-Specified Selections Available C 2 E 3 Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRACA absolute maximum ratings at 25 C case temperatu

 9.2. Size:85K  power-innovations
 bd540.pdf pdf_icon

BD540D

BD540, BD540A, BD540B, BD540C PNP SILICON POWER TRANSISTORS Copyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the BD539 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 45 W at 25 C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B 1 C 2 Customer-Specified Selections Available E 3 Pin 2 is in electrical contact with the moun

 9.3. Size:193K  inchange semiconductor
 bd540a.pdf pdf_icon

BD540D

isc Silicon PNP Power Transistor BD540A DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD539A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.4. Size:193K  inchange semiconductor
 bd540.pdf pdf_icon

BD540D

isc Silicon PNP Power Transistor BD540 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -40V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD539 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD540, BD540A, BD540B, BD540C, TIP3055, BD543, BD543A, BD543B, BD543C, BD543D, BD544, BD544A, BD544B