BD540D - описание и поиск аналогов

 

BD540D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD540D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD540D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD540D - технические параметры

 9.1. Size:83K  bourns
bd540-a-b-c.pdfpdf_icon

BD540D

BD540, BD540A, BD540B, BD540C PNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the BD539 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 45 W at 25 C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B 1 Customer-Specified Selections Available C 2 E 3 Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRACA absolute maximum ratings at 25 C case temperatu

 9.2. Size:85K  power-innovations
bd540.pdfpdf_icon

BD540D

BD540, BD540A, BD540B, BD540C PNP SILICON POWER TRANSISTORS Copyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the BD539 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 45 W at 25 C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B 1 C 2 Customer-Specified Selections Available E 3 Pin 2 is in electrical contact with the moun

 9.3. Size:193K  inchange semiconductor
bd540a.pdfpdf_icon

BD540D

isc Silicon PNP Power Transistor BD540A DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD539A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.4. Size:193K  inchange semiconductor
bd540.pdfpdf_icon

BD540D

isc Silicon PNP Power Transistor BD540 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -40V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD539 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие транзисторы... BD539A , BD539B , BD539C , BD539D , BD540 , BD540A , BD540B , BD540C , TIP3055 , BD543 , BD543A , BD543B , BD543C , BD543D , BD544 , BD544A , BD544B .

 

 
Back to Top

 


 
.