BD546B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD546B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO218

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD546B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD546B даташит

 ..1. Size:197K  inchange semiconductor
 bd546 bd546a bd546b bd546c.pdf pdf_icon

BD546B

isc Silicon PNP Power Transistor BD546/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -15A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -40V(Min)- BD546; -60V(Min)- BD546A (BR)CEO -80V(Min)- BD546B; -100V(Min)- BD546C Complement to Type BD545/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose

 9.1. Size:81K  bourns
 bd546-a-b-c.pdf pdf_icon

BD546B

BD546, BD546A, BD546B, BD546C PNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE BD545 Series (TOP VIEW) 85 W at 25 C Case Temperature B 1 15 A Continuous Collector Current C 2 Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25 C case temper

Другие транзисторы: BD544D, BD545, BD545A, BD545B, BD545C, BD545D, BD546, BD546A, MJE340, BD546C, BD546D, BD550, BD550A, BD550B, BD561, BD562, BD566