BD709 - описание и поиск аналогов

 

BD709. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD709

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для BD709

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD709 даташит

 ..1. Size:1174K  st
bd707 bd708 bd709 bd711 bd712.pdfpdf_icon

BD709

BD707/709/711 BD708/712 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION The BD707, BD709 and BD711 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in Jedec 3 2 TO-220 plastic package. They are intented for 1 use in power linear and switching applications. The BD707 and BD711 compl

 ..2. Size:110K  st
bd707 bd708 bd709 bd710 bd711 bd712.pdfpdf_icon

BD709

BD707/709/711 BD708/710/712 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION The BD707, BD709, and BD711 are silicon 3 2 epitaxial-base NPN power transistors in Jedec 1 TO-220 plastic package, intented for use in power linear and switching applications. TO

 ..3. Size:60K  inchange semiconductor
bd707 bd709 bd711.pdfpdf_icon

BD709

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD707 BD709 BD711 DESCRIPTION With TO-220C package The BD707 and BD711are respectively complement to type BD708 and BD712 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute m

 ..4. Size:191K  inchange semiconductor
bd709.pdfpdf_icon

BD709

isc Silicon NPN Power Transistor BD709 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min.) CEO(SUS) Complement to Type BD710 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы... BD700 , BD700A , BD701 , BD702 , BD705 , BD706 , BD707 , BD708 , D209L , BD710 , BD711 , BD712 , BD719 , BD720 , BD721 , BD722 , BD723 .

History: BD937

 

 

 


 
↑ Back to Top
.