Биполярный транзистор BD722 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BD722
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO126
Аналог (замена) для BD722
BD722 Datasheet (PDF)
bd722.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BD722DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Breakdown Voltage -: V = -80V(Min)(BR)CEOComplement to type BD721Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT
bd720 bd722 bd724 bd726.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BD720/722/724/726DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20(Min)@ I = -2AFE CComplement to Type BD719/721/723/725Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output and general purposeamplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие транзисторы... BD708 , BD709 , BD710 , BD711 , BD712 , BD719 , BD720 , BD721 , 2SD669 , BD723 , BD724 , BD725 , BD726 , BD733 , BD734 , BD735 , BD736 .
History: MPS8099G | NB012FU | 2SB994 | 2N6422 | U2TD410 | PN3390 | 2N2801
History: MPS8099G | NB012FU | 2SB994 | 2N6422 | U2TD410 | PN3390 | 2N2801



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175