BD722. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD722

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD722

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD722 даташит

 ..1. Size:190K  inchange semiconductor
 bd722.pdf pdf_icon

BD722

isc Silicon PNP Power Transistor BD722 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage - V = -80V(Min) (BR)CEO Complement to type BD721 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 ..2. Size:193K  inchange semiconductor
 bd720 bd722 bd724 bd726.pdf pdf_icon

BD722

isc Silicon PNP Power Transistor BD720/722/724/726 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20(Min)@ I = -2A FE C Complement to Type BD719/721/723/725 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы: BD708, BD709, BD710, BD711, BD712, BD719, BD720, BD721, TIP2955, BD723, BD724, BD725, BD726, BD733, BD734, BD735, BD736