BD726. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD726

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD726

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD726 даташит

 ..1. Size:193K  inchange semiconductor
 bd720 bd722 bd724 bd726.pdf pdf_icon

BD726

isc Silicon PNP Power Transistor BD720/722/724/726 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20(Min)@ I = -2A FE C Complement to Type BD719/721/723/725 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 bd726.pdf pdf_icon

BD726

isc Silicon PNP Power Transistor BD726 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage - V = -120V(Min) (BR)CEO Complement to type BD725 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output and general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие транзисторы: BD712, BD719, BD720, BD721, BD722, BD723, BD724, BD725, BC556, BD733, BD734, BD735, BD736, BD737, BD738, BD743, BD743A