BD750. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD750

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD750

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD750 даташит

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 bd750 bd750a.pdf pdf_icon

BD750

isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -90V(Min)- BD750 CEO(SUS) = -120V(Min)- BD750A High Power Dissipation Complement to Type BD751/751A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MA

 ..2. Size:75K  inchange semiconductor
 bd750 bd750a .pdf pdf_icon

BD750

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -90V(Min)- BD750 = -120V(Min)- BD750A High Power Dissipation Complement to Type BD751/751A APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 )

 0.1. Size:114K  inchange semiconductor
 bd750b bd750c .pdf pdf_icon

BD750

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -100V(Min)- BD751B = -130V(Min)- BD751C High Power Dissipation Complement to Type BD751B/751C APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25

 0.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd750b bd750c.pdf pdf_icon

BD750

isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -100V(Min)- BD751B CEO(SUS) = -130V(Min)- BD751C High Power Dissipation Complement to Type BD751B/751C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD745F, BD746, BD746A, BD746B, BD746C, BD746D, BD746E, BD746F, C5198, BD750A, BD750B, BD750C, BD751, BD751A, BD751B, BD751C, BD775