Биполярный транзистор BD750 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BD750
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
Аналог (замена) для BD750
BD750 Datasheet (PDF)
bd750 bd750a.pdf

isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750ADESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -90V(Min)- BD750CEO(SUS)= -120V(Min)- BD750AHigh Power DissipationComplement to Type BD751/751AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and high power amplifierapplications.ABSOLUTE MA
bd750 bd750a .pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -90V(Min)- BD750 = -120V(Min)- BD750A High Power Dissipation Complement to Type BD751/751A APPLICATIONSDesigned for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
bd750b bd750c .pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min)- BD751B = -130V(Min)- BD751C High Power Dissipation Complement to Type BD751B/751C APPLICATIONSDesigned for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25
bd750b bd750c.pdf

isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750CDESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)- BD751BCEO(SUS)= -130V(Min)- BD751CHigh Power DissipationComplement to Type BD751B/751CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and high power amplifierapplications.ABSOLUT
Другие транзисторы... BD745F , BD746 , BD746A , BD746B , BD746C , BD746D , BD746E , BD746F , 13007 , BD750A , BD750B , BD750C , BD751 , BD751A , BD751B , BD751C , BD775 .
History: CHUMF19GP | ECG227 | GES6006 | LMUN2116LT1G | KSH13005W | RN1107MFV | 2SD536
History: CHUMF19GP | ECG227 | GES6006 | LMUN2116LT1G | KSH13005W | RN1107MFV | 2SD536



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet