Справочник транзисторов. BD750

 

Биполярный транзистор BD750 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD750
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BD750

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD750 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
bd750 bd750a.pdfpdf_icon

BD750

isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750ADESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -90V(Min)- BD750CEO(SUS)= -120V(Min)- BD750AHigh Power DissipationComplement to Type BD751/751AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and high power amplifierapplications.ABSOLUTE MA

 ..2. Size:75K  inchange semiconductor
bd750 bd750a .pdfpdf_icon

BD750

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750/750A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -90V(Min)- BD750 = -120V(Min)- BD750A High Power Dissipation Complement to Type BD751/751A APPLICATIONSDesigned for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

 0.1. Size:114K  inchange semiconductor
bd750b bd750c .pdfpdf_icon

BD750

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min)- BD751B = -130V(Min)- BD751C High Power Dissipation Complement to Type BD751B/751C APPLICATIONSDesigned for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25

 0.2. Size:211K  inchange semiconductor
bd750b bd750c.pdfpdf_icon

BD750

isc Silicon PNP Power Transistors BD750B/750CDESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)- BD751BCEO(SUS)= -130V(Min)- BD751CHigh Power DissipationComplement to Type BD751B/751CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and high power amplifierapplications.ABSOLUT

Другие транзисторы... BD745F , BD746 , BD746A , BD746B , BD746C , BD746D , BD746E , BD746F , 13007 , BD750A , BD750B , BD750C , BD751 , BD751A , BD751B , BD751C , BD775 .

History: CHUMF19GP | ECG227 | GES6006 | LMUN2116LT1G | KSH13005W | RN1107MFV | 2SD536

 

 
Back to Top

 


 
.