BD751A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD751A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD751A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD751A даташит

 ..1. Size:165K  cn sptech
 bd751 bd751a.pdf pdf_icon

BD751A

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistors BD751/751A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min)- BD751 CEO(SUS) = 120V(Min)- BD751A High Power Dissipation Complement to Type BD750/750A APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 ..2. Size:113K  inchange semiconductor
 bd751 bd751a .pdf pdf_icon

BD751A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD751/751A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 90V(Min)- BD751 = 120V(Min)- BD751A High Power Dissipation Complement to Type BD750/750A APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SY

 ..3. Size:207K  inchange semiconductor
 bd751 bd751a.pdf pdf_icon

BD751A

isc Silicon NPN Power Transistors BD751/751A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 90V(Min)- BD751 CEO(SUS) = 120V(Min)- BD751A High Power Dissipation Complement to Type BD750/750A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bd751b bd751c.pdf pdf_icon

BD751A

isc Silicon NPN Power Transistors BD751B/751C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V(Min)- BD751B CEO(SUS) = 130V(Min)- BD751C High Power Dissipation Complement to Type BD750B/750C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD746D, BD746E, BD746F, BD750, BD750A, BD750B, BD750C, BD751, A1015, BD751B, BD751C, BD775, BD776, BD777, BD778, BD779, BD780