Справочник транзисторов. BD751B

 

Биполярный транзистор BD751B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BD751B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для BD751B

 

 

BD751B Datasheet (PDF)

1.1. bd751b 751c.pdf Size:113K _inchange_semiconductor

BD751B
BD751B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD751B/751C DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 100V(Min)- BD751B = 130V(Min)- BD751C ·High Power Dissipation ·Complement to Type BD750B/750C APPLICATIONS ·Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYM

5.1. bd751 751a.pdf Size:113K _inchange_semiconductor

BD751B
BD751B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD751/751A DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 90V(Min)- BD751 = 120V(Min)- BD751A ·High Power Dissipation ·Complement to Type BD750/750A APPLICATIONS ·Designed for high voltage and high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top