2N2904S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N2904S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N2904S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2904S даташит

 8.1. Size:73K  st
2n2904-2n2905-2n2906-2n2907.pdfpdf_icon

2N2904S

2N2904/2N2905 2N2906/2N2907 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES DESCRIPTION The 2N2904, 2N2905, 2N2906 and 2N2907 are si- licon planar epitaxial PNP transistors in Jedec TO- 39 (for 2N2904, 2N2905) and in Jedec TO-18 (for 2N2906 and 2N2907) metal cases. They are desi- gned for high-speed saturated switching and gene- ral purpose applications. 2N2904/2N2905 approved to CECC 50002-

 8.2. Size:59K  central
2n2904-a 2n2905-a.pdfpdf_icon

2N2904S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.3. Size:10K  semelab
2n2904csm.pdfpdf_icon

2N2904S

2N2904CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 60V A = (0.04 0.004

 8.4. Size:10K  semelab
2n2904acsm.pdfpdf_icon

2N2904S

2N2904ACSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 60V A = (0.04 0.00

Другие транзисторы: 2N2902, 2N2903, 2N2903A, 2N2904, 2N2904A, 2N2904AL, 2N2904AS, 2N2904L, S9013, 2N2905, 2N2905A, 2N2905AL, 2N2905L, 2N2905S, 2N2906, 2N2906A, 2N2906ACSM