BD895A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD895A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD895A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD895A даташит

 ..1. Size:120K  inchange semiconductor
 bd895a bd897a bd899a.pdf pdf_icon

BD895A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD895A/897A/899A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD896A/898A/900A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment ,general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd895a.pdf pdf_icon

BD895A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD895A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 4A FE C Collector Power Dissipation- P = 70W@ T = 25 C C 8 A Continuous Collector Current Complement to Type BD896A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation AP

 9.1. Size:120K  jmnic
 bd895.pdf pdf_icon

BD895A

Power Transistors www.jmnic.com BD895 Silicon PNP Transistors Features B C E With TO-220 package With general-purpose and amplifier applications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 45 V VCEO Collector to emitter voltage 45 V VEBO Emitter to base voltage 5.0 V IB Base collector current IC Collector current 8.0 A

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd895.pdf pdf_icon

BD895A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD895 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Collector Power Dissipation- P = 70W@ T = 25 C C 8 A Continuous Collector Current Complement to Type BD896 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD866, BD875, BD876, BD877, BD878, BD879, BD880, BD895, S9014, BD896, BD896A, BD897, BD897A, BD898, BD898A, BD899, BD899A