Биполярный транзистор BD900 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD900
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO220
BD900 Datasheet (PDF)
bd896 bd898 bd900 bd902.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896/898/900/902 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895/897/899/901 DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3
bd900.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD900DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -3AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD899Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAP
bd896a bd898a bd900a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896A/898A/900A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895A/897A/901A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em
bd900a.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD900ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -4AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD899AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050