BD935 - описание и поиск аналогов

 

BD935. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD935

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD935

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD935 даташит

 ..1. Size:331K  philips
 bd933 bd935 bd937 bd939 bd941.pdf pdf_icon

BD935

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd933 bd935 bd937 bd939 bd941.pdf pdf_icon

BD935

isc Silicon NPN Power Transistor BD933/935/937/939/941 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40(Min)@ I = 150mA FE C Complement to Type BD934/936/938/940/942 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in output stages of audio and television amplifier circuits where high peak powers can occur. ABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:213K  inchange semiconductor
 bd933f bd935f bd937f bd939f bd941f.pdf pdf_icon

BD935

isc Silicon NPN Power Transistor BD933F/935F/937F/939F/941F DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40(Min)@ I = 150mA FE C Complement to Type BD934F/936F/938F/940F/942F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in output stages of audio and television amplifier circuits where high peak powers can occur. ABSOLU

Другие транзисторы... BD909 , BD910 , BD911 , BD912 , BD933 , BD933F , BD934 , BD934F , C3198 , BD935F , BD936 , BD936F , BD937 , BD937F , BD938 , BD938F , BD939 .

History: BD909

 

 

 

 

↑ Back to Top
.