Биполярный транзистор BD952F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD952F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220F
BD952F Datasheet (PDF)
bd950f bd952f bd954f bd956f.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD950F/952F/954F/956FDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = -500mAFE CComplement to Type BD949F/951F/953F/955FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD9
bd949 bd950 bd951 bd952 bd953 bd954 bd955 bd956.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package BD949, BD951, BD953, BD955BD950, BD952, BD954, BD956BD949, 951, 953, 955 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSBD950, 952, 954, 956 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSPower Amplifier and Switching ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR12
bd952.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD952DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEODC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = -500mAFE CComplement to Type BD951Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier and switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
