Биполярный транзистор BDT60F Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BDT60F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO220F
Аналог (замена) для BDT60F
BDT60F Datasheet (PDF)
bdt60f-af-bf-cf bdt60f af bf cf.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60F/AF/BF/CF DESCRIPTION DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS Designed for use in
bdt60f bdt60af bdt60bf bdt60cf.pdf

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60F/AF/BF/CFDESCRIPTIONDC Current Gain -h = 750(Min)@ I = -1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AFCEO(SUS)-100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CFComplement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CFMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPP
bdt60 bdt60a bdt60b bdt60c.pdf

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT60/A/B/CDESCRIPTIONDC Current Gain -h = 750(Min)@ I = -1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)- BDT60; -80V(Min)- BDT60A;CEO(SUS)-100V(Min)- BDT60B; -120V(Min)- BDT60CComplement to Type BDT61/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesi
Другие транзисторы... BDT58 , BDT60 , BDT60A , BDT60AF , BDT60B , BDT60BF , BDT60C , BDT60CF , 2SC2655 , BDT60L , BDT61 , BDT61A , BDT61AF , BDT61B , BDT61BF , BDT61C , BDT61CF .
History: NJVMJD41CT4G | MPS6521 | 2SD916 | NSBA144EDP6 | 2SC6077 | 2SD1392 | ESM140
History: NJVMJD41CT4G | MPS6521 | 2SD916 | NSBA144EDP6 | 2SC6077 | 2SD1392 | ESM140



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055