BDT81F datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BDT81F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 21 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для BDT81F
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDT81F даташит
bdt81f bdt83f bdt85f bdt87f.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BDT81F/83F/85F/87F DESCRIPTION DC Current Gain -h = 40(Min)@ I = 5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min)- BDT81F; 80V(Min)- BDT83F; CEO(SUS) 100V(Min)- BDT85F; 120V(Min)- BDT87F Complement to Type BDT82F/84F/86F/88F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed
bdt81-bdt82-bdt83-bdt84-bdt85-bdt86-bdt87-bdt88.pdf
PNP BDT82 BDT84 BDT86 BDT88 NPN BDT81 BDT83 BDT85 BDT87 SILICON POWER TRANSISTOR SILICON POWER TRANSISTOR The BDT82 BDT84 BDT86 BDT88 are PNP epitaxial base transistors in a TO-220 plastic envelope. They are intended for use in audio output stages and general amplifier and switching appications. NPN complements are BDT81 BDT83 BDT85 BDT87.
bdt81 bdt83 bdt85 bdt87.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BDT81/83/85/87 DESCRIPTION DC Current Gain -h = 40(Min)@ I = 5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min)- BDT81; 80V(Min)- BDT83; CEO(SUS) 100V(Min)- BDT85; 120V(Min)- BDT87 Complement to Type BDT82/84/86/88 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in
Другие транзисторы: BDT65A, BDT65AF, BDT65B, BDT65BF, BDT65C, BDT65CF, BDT65F, BDT81, 2N2222, BDT82, BDT82F, BDT83, BDT83F, BDT84, BDT84F, BDT85, BDT85F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor

