Справочник транзисторов. BDT95

 

Биполярный транзистор BDT95 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDT95
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BDT95

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDT95 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  no
 bdt95.pdf pdf_icon

BDT95

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
 bdt91 bdt93 bdt95.pdf pdf_icon

BDT95

isc Silicon NPN Power Transistor BDT91/93/95DESCRIPTIONDC Current Gain- h = 20~200@ I = 4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)- BDT91; 80V(Min)- BDT93;CEO(SUS)100V(Min)- BDT95Complement to Type BDT92/94/96Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output stages and ge

 0.1. Size:215K  inchange semiconductor
 bdt91f bdt93f bdt95f.pdf pdf_icon

BDT95

isc Silicon NPN Power Transistor BDT91F/93F/95FDESCRIPTIONDC Current Gain- h = 20~200@ I = 4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)- BDT91F; 80V(Min)- BDT93F;CEO(SUS)100V(Min)- BDT95FComplement to Type BDT92F/94F/96FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output stag

Другие транзисторы... BDT91 , BDT91F , BDT92 , BDT92F , BDT93 , BDT93F , BDT94 , BDT94F , 100DA025D , BDT95F , BDT96 , BDT96F , BDV10 , BDV11 , BDV12 , BDV13 , BDV14 .

 

 
Back to Top

 


 
.