BDT95F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDT95F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BDT95F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDT95F даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bdt91f bdt93f bdt95f.pdf pdf_icon

BDT95F

isc Silicon NPN Power Transistor BDT91F/93F/95F DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20 200@ I = 4A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min)- BDT91F; 80V(Min)- BDT93F; CEO(SUS) 100V(Min)- BDT95F Complement to Type BDT92F/94F/96F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stag

 9.1. Size:203K  no
 bdt95.pdf pdf_icon

BDT95F

 9.2. Size:214K  inchange semiconductor
 bdt91 bdt93 bdt95.pdf pdf_icon

BDT95F

isc Silicon NPN Power Transistor BDT91/93/95 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20 200@ I = 4A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min)- BDT91; 80V(Min)- BDT93; CEO(SUS) 100V(Min)- BDT95 Complement to Type BDT92/94/96 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stages and ge

Другие транзисторы: BDT91F, BDT92, BDT92F, BDT93, BDT93F, BDT94, BDT94F, BDT95, 2N2222A, BDT96, BDT96F, BDV10, BDV11, BDV12, BDV13, BDV14, BDV15