Биполярный транзистор BDT96F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDT96F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO220F
BDT96F Datasheet (PDF)
bdt92f bdt94f bdt96f.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDT92F/94F/96FDESCRIPTIONDC Current Gain- h = 20~200@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)- BDT92F; -80V(Min)- BDT94F;CEO(SUS)-100V(Min)- BDT96FComplement to Type BDT91F/93F/95FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output
bdt92 bdt94 bdt96.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDT92/94/96DESCRIPTIONDC Current Gain- h = 20~200@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)- BDT92; -80V(Min)- BDT94;CEO(SUS)-100V(Min)- BDT96Complement to Type BDT91/93/95Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in audio output stages an
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050