Справочник транзисторов. BDV66C

 

Биполярный транзистор BDV66C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDV66C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TOP3
 

 Аналог (замена) для BDV66C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDV66C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  inchange semiconductor
 bdv66 bdv66a bdv66b bdv66c.pdf pdf_icon

BDV66C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -16ACCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max.)@ I = -10ACE(sat) CComplement to Type BDV67/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching appli

 9.1. Size:102K  mospec
 bdv66 bdv67.pdf pdf_icon

BDV66C

AAA

 9.2. Size:158K  inchange semiconductor
 bdv66 a b c.pdf pdf_icon

BDV66C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -16A Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -10A Complement to Type BDV67/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие транзисторы... BDV64C , BDV65 , BDV65A , BDV65B , BDV65C , BDV66 , BDV66A , BDV66B , 8550 , BDV66D , BDV67 , BDV67A , BDV67B , BDV67C , BDV67D , BDV91 , BDV92 .

History: 9016 | TIP525 | 2N5320X | 2SC4106L

 

 
Back to Top

 


 
.