BDV67C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDV67C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BDV67C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDV67C даташит

 ..1. Size:196K  inchange semiconductor
bdv67 bdv67a bdv67b bdv67c.pdfpdf_icon

BDV67C

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDV67/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = 16A C Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 10A CE(sat) C Complement to Type BDV66/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier

 9.1. Size:102K  mospec
bdv66 bdv67.pdfpdf_icon

BDV67C

A A A

 9.2. Size:220K  inchange semiconductor
bdv67 bdv67d.pdfpdf_icon

BDV67C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDV67D DESCRIPTION Collector Current -I = 16A C Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 10A CE(sat) C Complement to Type BDV66D Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSO

 9.3. Size:122K  inchange semiconductor
bdv67 67a 67b 67c 67d.pdfpdf_icon

BDV67C

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDV67/67A/67B/67C/67D DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BDV66/66A/66B/66C/66D DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use in audio output stages and general amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounti

Другие транзисторы: BDV66, BDV66A, BDV66B, BDV66C, BDV66D, BDV67, BDV67A, BDV67B, 2222A, BDV67D, BDV91, BDV92, BDV93, BDV94, BDV95, BDV96, BDW10