BDW46 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BDW46
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BDW46
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDW46 даташит
bdw42 bdw46 bdw47.pdf
Order this document MOTOROLA by BDW42/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BDW42* Darlington Complementary PNP Silicon Power Transistors BDW46 . . . designed for general purpose and low speed switching applications. High DC Current Gain hFE = 2500 (typ.) @ IC = 5.0 Adc. BDW47* Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc *Motorola Preferred Device VCEO(sus) = 80 Vdc (
bdw46.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW46 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -80V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = -5A FE C Low Collector Saturation Voltage V = -2.0V(Max.)@ I = -5.0A CE(sat) C = -3.0V(Max.)@ I = -10A C Complement to Type BDW41 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable
bdw46g.pdf
BDW42G - NPN, BDW46G, BDW47G - PNP Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium-power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed http //onsemi.com switching applications. Features 15 AMP DARLINGTON High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. COMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter
Другие транзисторы: BDW36, BDW39, BDW40, BDW41, BDW42, BDW43, BDW44, BDW45, S8050, BDW48, BDW51, BDW51A, BDW51B, BDW51C, BDW52, BDW52A, BDW52C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115


