BDX32 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX32  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX32 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BDX29, BDX29-10, BDX29-6, BDX30, BDX30-10, BDX30-6, BDX30B, BDX31, B772, BDX33, BDX33A, BDX33B, BDX33C, BDX33D, BDX33E, BDX34, BDX34A